Найдено 436 товаров
960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/925 МБайт/с, случайный доступ: 199000/25000 IOps
960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/925 МБайт/с, случайный доступ: 199000/25000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы NAND MLC, последовательный доступ: 510/475 MBps, случайный доступ: 63000/20000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы NAND MLC, последовательный доступ: 510/475 MBps, случайный доступ: 63000/20000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4950/3700 МБайт/с, случайный доступ: 580000/380000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4950/3700 МБайт/с, случайный доступ: 580000/380000 IOps
3.2 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/390000 IOps
3.2 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/390000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 9500/8500 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 9500/8500 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6400 МБайт/с, случайный доступ: 650000/740000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6400 МБайт/с, случайный доступ: 650000/740000 IOps, совместимость с PS5
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/445 МБайт/с
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/445 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3c), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 360000/400000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3c), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 360000/400000 IOps
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/24000 IOps
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/24000 IOps
2.5", SATA 6Gbps, последовательный доступ: 550/460 MBps, случайный доступ: 85000/39000 IOps
2.5", SATA 6Gbps, последовательный доступ: 550/460 MBps, случайный доступ: 85000/39000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7000/6500 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7000/6500 МБайт/с
2.5", PCI Express 3.1 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/600 MBps, случайный доступ: 279500/30500 IOps
2.5", PCI Express 3.1 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/600 MBps, случайный доступ: 279500/30500 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5025-E25, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1180000/1440000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5025-E25, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1180000/1440000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4850/4500 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 4850/4500 МБайт/с
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 94000/63000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 94000/63000 IOps