Найден 461 товар
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с, случайный доступ: 90000/30000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с, случайный доступ: 90000/30000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7100/6500 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 7100/6500 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5
400 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5012-E12DS, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/550 МБайт/с, случайный доступ: 205000/40000 IOps
400 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5012-E12DS, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/550 МБайт/с, случайный доступ: 205000/40000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4800/4100 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4800/4100 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с, DRAM-буфер
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6800 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1000000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6800 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1000000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14500/12700 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14500/12700 МБайт/с, DRAM-буфер
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2256, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6800 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6800 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2900 МБайт/с, случайный доступ: 410000/380000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2900 МБайт/с, случайный доступ: 410000/380000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/250000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/250000 IOps
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/31000 IOps
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/31000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/5800 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/900000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/5800 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/900000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 90000/85000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 90000/85000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/700000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/700000 IOps, DRAM-буфер