Оперативная память

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.35 В

частота 1333 МГц, CL 9T

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-36, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

64 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1066 МГц, CL 7T, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В