Найдено 463 товара
1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 87000/83000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 87000/83000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/2000 МБайт/с, случайный доступ: 980000/80000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/2000 МБайт/с, случайный доступ: 980000/80000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2900 МБайт/с, случайный доступ: 410000/380000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2900 МБайт/с, случайный доступ: 410000/380000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
7.68 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/4000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/4000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
2 ТБ, M.2 2242, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
2 ТБ, M.2 2242, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 55000/80000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/5800 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/900000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/5800 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/900000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/2500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/2500 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4850 МБайт/с, случайный доступ: 650000/800000 IOps
2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4850 МБайт/с, случайный доступ: 650000/800000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 680000/800000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 680000/800000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/250000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/250000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 МБайт/с, случайный доступ: 79000/30000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 МБайт/с, случайный доступ: 79000/30000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/78000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/78000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, совместимость с PS5