Найдено 68 товаров
1.92 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/2700 МБайт/с, случайный доступ: 740000/130000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/2700 МБайт/с, случайный доступ: 740000/130000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5500/2000 MBps, случайный доступ: 800000/85000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5500/2000 MBps, случайный доступ: 800000/85000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14800/13400 МБайт/с, случайный доступ: 2200000/2600000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14800/13400 МБайт/с, случайный доступ: 2200000/2600000 IOps, совместимость с PS5
2.5", PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3200/1100 MBps, случайный доступ: 400000/40000 IOps
2.5", PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3200/1100 MBps, случайный доступ: 400000/40000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/31000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/480 MBps, случайный доступ: 97000/22000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/480 MBps, случайный доступ: 97000/22000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
7.68 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
7.68 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/420000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/420000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер