Оперативная память

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 26T, тайминги 26-36-36-96, напряжение 1.45 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1866 МГц, CL 13T

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1066 МГц, CL 7T, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 5333 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30, напряжение 1.6 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В