Оперативная память Samsung

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 10T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В