Оперативная память G.Skill

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В

двухканальный (2 модуля), частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 8000 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-128, напряжение 1.45 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-36-36-96, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-89, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В